Исследователи из Тель-Авивского университета (Израиль) предлагают решить проблему при помощи… фуллереновых транзисторов.
Затвор (А) используется для активации молекулярных слоёв, расположенных вертикально (В) и отделённых от источника слоем оксида. Три карбоксильных «якоря» прикрепляют фуллерен к изолирующему слою оксидов. (Иллюстрация Elad Mentovich.)
Именно фуллерен (С60) позволил Эладу Ментовичу (Elad Mentovich) построить продвинутый транзистор, способный выполнять как функции оперативной памяти, так и накапливать энергию подобно конденсатору. Этот молекулярный транзистор размером до пары нанометров способен хранить и передавать информацию на весьма высокой скорости. При этом, по словам разработчика, он потенциально вполне готов к массовому производству. И предварительные переговоры такого рода будто бы уже ведутся («с представителями ряда крупных компаний»).
Нынешняя оперативная память весьма габаритна и энергопрожорлива — по крайней мере по меркам смартфонов, рабов литиевых батарей. Решение проблемы на основе фуллереновых полевых транзисторов искали давно, но мешали два факта.
Во-первых, фуллерен при работе в атмосферном воздухе терял свою структуру и окислялся. Во-вторых, образцы с хорошей мобильностью электронов удалось получить лишь выращивая (эпитаксиально) фуллереновые транзисторы при 250 ˚С. Гибкая электроника при этом не получалась, да и затраты на производство росли, и значительно. Но израильский исследователь нашёл выход из непростой ситуации. Вместо того чтобы наполнять ёмкость с транзистором азотной атмосферой, как предлагали другие, он окружил молекулы С60 слоем молекул оксида углерода. Сами они в качестве транзисторов не работают, но и атомам кислорода добраться до транзисторов на С60 не дают, что спасает последние от потери работоспособности.
Действительно серьёзной проблемой оказался подбор такого рода химических связей между изолирующим слоем оксида и фуллереном, который не разрушил бы со временем структуру последнего. Для этого г-н Ментович воспользовался карбоксильными связями, способными не только обеспечить устойчивое к повышению температуры соединение С60 с оксидом, но и не «убить» при этом саму молекулу-транзистор.
Соответствующая работа принята для публикации в журнале Applied Physics Letters.
Подготовлено по материалам Phys.Org.
Комментарии(0) |
На данный момент комментариев нет. Станьте первым, кто добавит комментарий.